IDT70T3719/99M
High-Speed 2.5V 256/128K x 72 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Ambient
(1)
0 C to +70 C
Grade
Commercial
Industrial
NOTES:
Temperature
O O
-40 O C to +85 O C
GND
0V
0V
V DD
2.5V + 100mV
2.5V + 100mV
5687 tbl 05
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.
Recommended DC Operating
Conditions with V DDQ at 2.5V
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage (3)
Ground
Min.
2.4
2.4
0
Typ.
2.5
2.5
0
Max.
2.6
2.6
0
Unit
V
V
V
Input High Volltage
V IH
(Address, Control &
1.7
____
V DDQ + 100mV (2)
V
Data I/O Inputs) (3)
V IH
Input High Voltage
JTAG
_
1.7
____
V DD + 100mV (2)
V
V IH
V IL
V IL
Input High Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
Input Low Voltage
Input Low Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
V DD - 0.2V
-0.3 (1)
-0.3 (1)
____
____
____
V DD + 100mV (2)
0.7
0.2
V
V
V
NOTES:
5687 tbl 06a
1. V IL (min.) = -1.0V for pulse width less than t CYC /2 or 5ns, whichever is less.
2. V IH (max.) = V DDQ + 1.0V for pulse width less than t CYC /2 or 5ns, whichever is less.
3. To select operation at 2.5V levels on the I/Os and controls of a given port, the OPT
pin for that port must be set to V ss (0V), and V DDQX for that port must be supplied as indicated
above.
Recommended DC Operating
Conditions with V DDQ at 3.3V
Symbol
V DD
Parameter
Core Supply Voltage
Min.
2.4
Typ.
2.5
Max.
2.6
Unit
V
V DDQ
V SS
I/O Supply Voltage
Ground
(3)
3.15
0
3.3
0
3.45
0
V
V
Input High Voltage
V IH
(Address, Control
2.0
____
V DDQ + 150mV (2)
V
&Data I/O Inputs) (3)
V IH
Input High Voltage
JTAG
_
1.7
____
V DD + 100mV (2)
V
V IH
Input High Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
V DD - 0.2V
____
V DD + 100mV (2)
V
V IL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
V IL
Input Low Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
-0.3 (1)
____
0.2
V
5687 tbl 06b
NOTES:
1. V IL (min.) = -1.0V for pulse width less than t CYC /2, or 5ns, whichever is less.
2. V IH (max.) = V DDQ + 1.0V for pulse width less than t CYC /2 or 5ns, whichever is less.
3. To select operation at 3.3V levels on the I/Os and controls of a given port, the OPT pin
for that port must be set to V DD (2.5V), and V DDQX for that port must be supplied as indicated
above.
6.42
相关PDF资料
IDT70T633S10BCI IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA
IDT70T651S12DRI IC SRAM 9MBIT 12NS 208QFP
IDT70T653MS12BCI IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA
IDT70V05L55G IC SRAM 64KBIT 55NS 68PGA
IDT70V06L55G IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA
IDT70V07L35G IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA
IDT70V08S15PF IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP
IDT70V09L20PFI IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
相关代理商/技术参数
IDT70T3799MS133BBG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3799MS133BBGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3799MS166BBG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BC 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BCI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BCI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)